
来源:爱游戏平台游戏 发布时间:2025-11-15 17:02:52
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刚完结 1750 万美元 A 轮融资的 RAAAM,凭仗其立异嵌入式内存技能,旨在打破 SRAM 与 DRAM 的权衡窘境,重塑片上体系(SoC)规划格式。
在边际设备寻求更快、更高效内存的竞赛中,SRAM 虽功能拔尖,却占用很多芯片面积;DRAM 密度占优,但在推迟和集成性上体现欠安。现在,脱胎于希伯来大学的草创公司 RAAAM 存储技能(RAAAM Memory Technologies)声称,其增益单元随机存取存储器(GCRAM)架构已破解这一长期存在的二元敌对难题。该公司表明,这项技能可直接代替 SRAM,在推迟挨近 SRAM 的一起,明显缩小芯片面积并下降功耗。
此次 1750 万美元 A 轮融资由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)牵头,交融基金(Fusion Fund)等职业资深组织参加。融资后,RAAAM 正预备将其IP面向商业级芯片。这笔资金将加快 GCRAM 从兼容代工厂的原型产品,向 16 纳米鳍式场效应晶体管(FinFET)等先进制程的量产过渡。
RAAAM 的来源可追溯至 2021年,其时四位联合发起人团队根据 DRAM与SRAM混合架构的学术研究,开端研制新式存储架构。
与许多需求新材料和新式器材的存储草创公司不同,RAAAM 选用彻底兼容 CMOS 的架构,依托规范逻辑工艺流程规划。这一决议方案下降了 IP 授权门槛,也便于与现有规划流程集成 —— 正是这一思路招引了恩智浦的重视,后者现在正与 RAAAM 严密协作,推动其在实践片上体系中的布置。
该公司前期经过台积电制作的 16 纳米测验芯片完结了技能验证,制品芯片达到了预期的推迟和密度方针,证明 RAAAM 具有在先进代工厂制程上规划、完成并验证功能性芯片的才能。
RAAAM 价值建议的中心是增益单元随机存取存储器(GCRAM)。这种存储阵列架构交融了 DRAM 与 SRAM 的优势,一起规避了两者的缩放难题。传统 SRAM 单元速度快,但体积大且易失;DRAM 密度更高,却需求杂乱的改写机制和控制器,且很少用于嵌入式场景。
GCRAM 走出了一条中心道路T)单元结构,无需外部电容器或改写控制器。其推迟和耐久性挨近 SRAM,但密度明显更优:RAAAM 称,根据详细完成方案,与 6 晶体管(6T)SRAM 比较,GCRAM 的存储密度最高可提高 4 倍。
GCRAM 与传统增益单元 RAM 的不同之处在于,RAAAM 经过专有电路技能提高了坚持时刻、下降了漏电率,并优化了写搅扰效应。这些立异使该架构从专用存储晋级为通用型 SRAM 代替方案。重要的是,它规划为适配规范数字流程,可作为硬核宏单元或兼容 RTL 的 IP 模块交给。
RAAAM 的 16 纳米测验芯片已在工艺 - 电压 - 温度(PVT)角点完结全面验证,其在高温、低压环境下的功能体现,满意车规级运用要求。根据运用场景不同,与 SRAM 比较,GCRAM 每比特面积最多可削减 70%,漏电功耗最多可下降 90%。
嵌入式内存代替方案的商场空间非常宽广。在许多现代 SoC 中,尤其是 AI/ML 推理芯片、边际处理器和轿车微控制器(MCU),SRAM 约占芯片面积的 70%。任何能在不影响推迟和功耗的前提下缩小这一占比的技能,都具有极强的体系级价值。
RAAAM 精准瞄准了这些高增长范畴。边际 AI 加快器受限于内存功能,其作业负载既需求高速本地暂存内存,又受限于 SRAM 的大面积占用。跟着车载智能(包含高档驾驭辅佐体系(ADAS)和域控制器)和安全需求的提高,大型本地内存库一定要具有高可靠性、高能效和可扩展性。
由恩智浦牵头的 A 轮融资,使其与看到实践集成潜力的干流 SoC 厂商达到协同。恩智浦为轿车和工业商场出产 MCU 和域控制器,是嵌入式内存运用的合理先行者。在这些对利润率灵敏的范畴,面积减缩直接转化为物料清单(BOM)本钱下降和功率提高,GCRAM 具有清晰的经济价值。RAAAM 还获得了欧洲立异委员会的赞助支撑。
RAAAM 的下一步方案包含:将其 IP 扩展至更多制程节点,一起将产品规模拓宽至编译器集成缓存、内容可寻址存储器(CAM)和暂存器等专用模块。此外,该公司还在推动 GCRAM 适配芯片级封装(Chiplet)友爱型架构,使其成为分布式核算的模块化存储单元。
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