爱游戏平台游戏:积塔半导体获得屏蔽栅沟槽型场效应晶体管制备办法专利

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  国家知识产权局信息数据显现，上海积塔半导体有限公司获得一项名为“屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制备办法”的专利，授权公告号CN114944339B，请求日期为2022年4月。

  天眼查资料显现，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，坐落上海市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。经过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外出资了2家企业，参加招投标项目1913次，产业线条，此外企业还具有行政许可200个。

  声明：商场有危险，出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成，仅供参考，不构成个人出资主张。