爱游戏平台游戏:运用资料请求用于半导体结构的欧姆触点专利可用于高电子迁移率晶体管等结构

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  国家知识产权局信息数据显现，运用资料公司请求一项名为“用于半导体结构的欧姆触点”的专利，公开号CN121040236A，请求日期为2024年5月。专利摘要显现，一种用于构成半导体结构的欧姆触点的办法运用物理气相堆积膜。在一些施行办法中，此办法可包含在基板上的III‑V族半导体资猜中构成至少一个凹部，在此半导体资料上构成掩模，其间至少此凹部未经遮盖，运用物理气相堆积(PVD)工艺在此凹部中堆积金属氮化物资料的触摸过渡层，及在此触摸过渡层上构成金属层以构成欧姆触点。可构成所述欧姆触点以用于高电子迁移率晶体管(HEMT)、发光二极管(LED)，及/或根据激光的结构及其相似者。此触摸过渡层可为掺杂或未掺杂资料，这取决于用作此触摸过渡层资料的此金属氮化物变体。

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