爱游戏平台游戏:美光科技请求包含氧化物半导电资料的晶体管及相关设备与办法专利调整晶体管各结构氧化物半导电资料金属原子浓度

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  国家知识产权局信息数据显现，美光科技公司请求一项名为“包含氧化物半导电资料的晶体管及相关微电子设备、存储器设备、电子体系和办法”的专利，公开号CN121038335A，请求日期为2021年6月。专利摘要显现，本专利请求触及包含氧化物半导电资料的晶体管，且触及相关微电子设备、存储器设备、电子体系和办法。一种晶体管包含下部触摸结构、沟道结构、介电填充结构和上部触摸结构。所述下部触摸结构包含榜首氧化物半导电资料。所述沟道结构触摸所述下部触摸结构而且包含第二氧化物半导电资料，所述第二氧化物半导电资料的一或多个金属的原子浓度比所述榜首氧化物半导电资料的小。所述介电填充结构触摸所述沟道结构的内侧外表而且具有相对于所述沟道结构凹进的上部外表。所述上部触摸结构包含第三氧化物半导电资料，所述第三氧化物半导电资料的所述一或多个金属的原子浓度比所述沟道结构的大。

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