爱游戏平台游戏:三星显现请求薄膜晶体管及其制作办法专利有源层沿开口底外表和内壁延伸并衔接电极

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  国家知识产权局信息数据显现，三星显现有限公司;汉阳大学校ERICA产学协力团请求一项名为“薄膜晶体管、其制作办法和包含该薄膜晶体管的电子设备”的专利，公开号CN121218684A，请求日期为2025年6月。

  专利摘要显现，本请求触及薄膜晶体管、其制作办法和包含该薄膜晶体管的电子设备，该薄膜晶体管，包含：衬底；榜首电极，在衬底上；榜首栅电极，在榜首电极上；榜首缓冲层，在榜首电极和榜首栅电极之间；榜首栅极绝缘层，在榜首栅电极上；第二电极，在榜首栅极绝缘层上；有源层，沿着穿透榜首栅电极、榜首缓冲层、榜首栅极绝缘层和第二电极的榜首开口的底外表在水平方向上延伸，而且沿着榜首开口的内壁在正交方向上延伸，而且有源层衔接到榜首电极和第二电极；第二栅电极，沿着有源层的外表延伸；以及第二栅极绝缘层，在有源层和第二栅电极之间。

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