爱游戏平台游戏:英特尔请求具有底部源极衔接的笔直传输晶体管专利将金属源极结构耦合到沟道结构

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  国家知识产权局信息数据显现，英特尔公司请求一项名为“具有带有底部源极衔接的笔直传输晶体管的集成电路结构”的专利，公开号CN121241684A，请求日期为2023年10月。

  专利摘要显现，描绘了具有带有底部源极衔接的笔直传输场效应晶体管（FET）的结构。在示例中，集成电路结构包含在衬底上方的沟道结构。栅极结构横向环绕沟道结构。漏极结构在栅极结构上方而且在沟道结构上。金属源极结构在衬底下方而且笔直地在沟道结构之下。导电过孔穿过衬底，导电过孔将金属源极结构耦合到沟道结构。

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